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模拟双极霍尔效应传感器是一种斩波稳定式霍尔芯片，它提供了一种磁场检测解决方案，具有几乎不受温度影响的出色灵敏度稳定性以及多种集成保护特性。假设将模拟双极霍尔效应传感器应用到现有的磁循迹传感器上，利用模拟双极霍尔效应传感器高精度、高稳定性的特点可有效简化现有磁循迹传感器的内部电路结构，使电路设计方案更简单、易实施，可降低其生产成本。

传感器一共16路检测（可根据自己需要增减），使用串口通信，被动请求后发送检测结果，支持检测灵敏度校准，留有2路故障检测接口。主控芯片采用C8051F310，主控芯片自带10位ADC采集功能，磁敏传感器检测信号放大电路。运放使用LM2904（LM358应该也可以，二者性能参数接近），放大器正极输入传感器检测信号，负极输入在图的右边提供的基准电压信号，基准信号需要调节使其接近磁敏传感器静态（无磁场）输出电压值，运放放大的信号被mcu采集，然后由mcu决定是否检测到磁场。

磁电阻R随外场H的变化是的线性关系

在理想状态下，磁电阻R随外场H的变化是的线性关系，同时没有磁滞（在实际情况下，磁电阻的响应曲线随外场变化具有滞后的现象，我们称之为磁滞。磁电阻的响应曲线为一个回路，通常作为应用的磁电阻材料的磁滞很小，在实际使用中可以看做一个的线性曲线）。在现实应用的传感器领域，由于磁传感设计的制约以及材料的缺陷，这条曲线会更弯曲。本发明涉及了传感器的设计、结构以及能够生产实施的工序，该传感器具有的工作感应，在工作区域内同时具有高线性度、低磁滞、高灵敏度的特点（即磁电阻响应曲线斜率大）。

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔(AlbertFe

巨磁电阻效应的发现者法国科学家阿尔贝·费尔（Albert Fert）和德国科学家彼得·格林贝格尔（Peter Andreas Grünberg）由于其对现代磁记录和工业领域的巨大贡献而获得2007年诺贝尔物理学奖，作为GMR元件的下一代技术，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被广泛应用于硬盘磁头领域。相信TMR磁传感技术将在工业、生物传感、磁性随机存储（Magnetic Random Access Memory，MRAM）等领域有极大的发展与贡献。