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在工业应用领域，流行的磁传感器类型是电流传感器，包括分流电阻器、霍尔效应集成电路、电流的感应变压器、开环与闭环霍尔器件以及磁通门传感器。磁循迹传感器包括电源模块、单片机、收发模块和若干个模拟双极霍尔效应传感器件，电源模块为模拟双极霍尔效应传感器件、单片机、收发模块供电，单片机分别与双极霍尔效应传感器件、收发模块电连接。

单个小块材料上容纳数十亿个晶体管和其他组件

在过去的半个世纪里，IC 以更快的速度、更大的容量和更小的尺寸取得了巨大的进步。

与早期相比，今天的 IC 复杂得令人难以置信，能够在单个小块材料上容纳数十亿个晶体管和其他组件。现代 IC 都是一体的，各个组件直接嵌入硅晶体中，而不是简单地安装在硅晶体上。

一个 IC 依赖于多个抽象层次。构成 IC 的半导体晶片很脆弱，并且在其许多层之间包含许多复杂的连接。这些晶片的组合称为裸片。

由于单个芯片上有数百万或数十亿个组件，因此无法单独***和连接每个组件。芯片太小，无法焊接和连接。取而代之的是，设计人员使用编程语言来创建小型电路元件并将它们组合起来，从而逐步增加芯片上组件的尺寸和密度，以满足应用需求。

以霍尔元件为敏感元件的磁传感器

以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号，使其输出电压便于被放大。这可以改变信号的噪声，取消共模信号，减少温漂或其他的不足。MTJ元件可以连接构成惠斯通电桥或其他电桥。沿传感器的法线旋转180°排列的两个MTJ磁电阻构成了半桥结构，其具有3个外接焊盘（Contact-Pad），依次为：偏置电压（Vbias）、中心点VOUT以及接地点（GND），桥式电路可通过焊盘进行电连，稳恒电压Vbias施加于焊盘Vbias端和GND端。在同一外场H的作用下，一个磁电阻的阻值增加的同时另一个的阻值会随之降低，施加相反方向的外场会使一个磁电阻的阻值降低的同时另一个的阻值会随之增加，使两个磁电阻测量外场有相反的响应——一个阻值增加另一个阻值降低——这可以增加传感器的灵敏度，因此被称为“推挽式”桥式电路。