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以霍尔元件为敏感元件的磁传感器

以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。

TMR(TunnelMagnetoResistance)元件

TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号

电桥可以用来改变磁电阻传感器的信号，使其输出电压便于被放大。这可以改变信号的噪声，取消共模信号，减少温漂或其他的不足。MTJ元件可以连接构成惠斯通电桥或其他电桥。沿传感器的法线旋转180°排列的两个MTJ磁电阻构成了半桥结构，其具有3个外接焊盘（Contact-Pad），依次为：偏置电压（Vbias）、中心点VOUT以及接地点（GND），桥式电路可通过焊盘进行电连，稳恒电压Vbias施加于焊盘Vbias端和GND端。在同一外场H的作用下，一个磁电阻的阻值增加的同时另一个的阻值会随之降低，施加相反方向的外场会使一个磁电阻的阻值降低的同时另一个的阻值会随之增加，使两个磁电阻测量外场有相反的响应——一个阻值增加另一个阻值降低——这可以增加传感器的灵敏度，因此被称为“推挽式”桥式电路。

磁导航传感器的结构设计至关重要

磁导航传感器安装在AGV腹部，距离地面高度一般在2-4cm之间，当地面出现杂物或凸起时，容易撞击到磁导航传感器，磁导航传感器如果结构强度不够会因此而变形，AGV整个系统就会因此而失去导引磁条目标，工作失常。

因此，磁导航传感器的结构设计至关重要，常见的磁导航传感器为了控制成本，安装外壳采用1~1.5mm铝合金板钣金加工而成，特点是成本低、结构强度低、容易变形、容易开裂。HQ系列磁导航传感器采用数控加工硬铝合金外壳、表面阳极化，具有结构强度高、外观精致、安装方便的特点。